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TK3R9E10PLS1X
R$ 30,60
6× de R$ 5,65
vezes | parcela | total |
---|---|---|
1× sem juros | R$ 30,60 | R$ 30,60 |
2× | R$ 15,99 | R$ 31,98 |
3× | R$ 10,82 | R$ 32,46 |
4× | R$ 8,23 | R$ 32,92 |
5× | R$ 6,68 | R$ 33,40 |
6× | R$ 5,65 | R$ 33,90 |
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra. * Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos. |
TK 3R9E10 PLS1X - MOSFET N-Channel (U-MOS IX-H)100 V,100 A:
--Fabricante: TOSHIBA
--VDS: 100 V;
--Corrente de Dreno (@Tc = 25 ºC): ID = 100 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): ID = 100 A;
----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------
--Resistência do Canal ( @ Tc = 25 ºC): RDSon = 3,3 mOhm
--Tempo de Subida: tr = 14 ns;
--Tempo de Descida: tf = 22 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 96 nC
--Tempo de Recuperação Reversa: trr= 65 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,117 uC;
--Encapsulamento: TO-220-3
--Resistência Térmica: Rjc = 0,65 ºC/W
--Datasheet: https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=60596&prodName=TK3R9E10PL
--Fabricante: TOSHIBA
--VDS: 100 V;
--Corrente de Dreno (@Tc = 25 ºC): ID = 100 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): ID = 100 A;
----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------
--Resistência do Canal ( @ Tc = 25 ºC): RDSon = 3,3 mOhm
--Tempo de Subida: tr = 14 ns;
--Tempo de Descida: tf = 22 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 96 nC
--Tempo de Recuperação Reversa: trr= 65 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,117 uC;
--Encapsulamento: TO-220-3
--Resistência Térmica: Rjc = 0,65 ºC/W
--Datasheet: https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=60596&prodName=TK3R9E10PL