Carrinho vazio.
STGP20V60DF
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STGP20V60DF
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R$ 31,50
7× de R$ 5,05
vezesparcelatotal
1× sem jurosR$ 31,50R$ 31,50
2×R$ 16,46R$ 32,92
3×R$ 11,13R$ 33,39
4×R$ 8,47R$ 33,88
5×R$ 6,88R$ 34,40
6×R$ 5,81R$ 34,86
7×R$ 5,05R$ 35,35
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra.

* Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos.

(indisponível)
Avise-me quando chegar:
STGP 20V60 DF - High Speed Trench Gate IGBT 600 V, 20 A:
--Fabricante: ST;
--VCE: 600 V;
--Corrente de Coletor (@Tc = 25 ºC): ID = 40 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): ID = 20 A;

----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------

--Tensão de Saturação( @ Tc = 125 ºC, IC = 20A ): VCEsat = 2,15 V;
--Tempo de Subida: tr = 10 ns;
--Tempo de Descida: tf = 15 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 116 nC
--Energia de comutação em Turn-on(@175ºC, 400V, 20A ): Eon = 430 uJ;
--Energia de comutação em Turn-off(@175ºC, 400V, 20A ): Eoff = 210 uJ;
--Tempo de recuperação reversa: trr= 72 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,93 uC;
--Encapsulamento: TO-220
--Resistência Térmica da Chave: Rjc = 0,9 ºC/W;
--Resistência Térmica do Diodo: Rjc = 2,08 ºC/W;

--Datasheet: https://www.st.com/resource/en/datasheet/stgb20v60df.pdf