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STGP30H60DF
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R$ 35,40
8× de R$ 5,04
vezesparcelatotal
1× sem jurosR$ 35,40R$ 35,40
2×R$ 18,50R$ 37,00
3×R$ 12,51R$ 37,53
4×R$ 9,52R$ 38,08
5×R$ 7,73R$ 38,65
6×R$ 6,53R$ 39,18
7×R$ 5,68R$ 39,76
8×R$ 5,04R$ 40,32
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra.

* Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos.

STGP 30H60 DF - High Speed Trench Gate IGBT 600 V, 30 A:
--Fabricante: ST;
--VCE: 600 V;
--Corrente de Coletor (@Tc = 25 ºC): IC = 60 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): IC = 30 A;

----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------

--Tensão de Saturação( @ Tc = 125 ºC, IC = 20A ): VCEsat = 2,4 V;
--Tempo de Subida: tr = 105ns;
--Tempo de Descida: tf = 17 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 105 nC
--Energia de comutação em Turn-on(@175ºC, 400V, 30A ): Eon = 840 uJ;
--Energia de comutação em Turn-off(@175ºC, 400V, 30A ): Eoff = 610 uJ;
--Tempo de recuperação reversa: trr= 190 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,506 uC;
--Encapsulamento: TO-220
--Resistência Térmica da Chave: Rjc = 0,58 ºC/W;
--Resistência Térmica do Diodo: Rjc = 2,5 ºC/W;

--Datasheet: https://www.st.com/resource/en/datasheet/stgp30h60df.pdf