Carrinho vazio.
IHW20N65R5
×
IHW20N65R5
IHW20N65R5
R$ 47,30
11× de R$ 5,11
vezesparcelatotal
1× sem jurosR$ 47,30R$ 47,30
2×R$ 24,72R$ 49,44
3×R$ 16,72R$ 50,16
4×R$ 12,72R$ 50,88
5×R$ 10,33R$ 51,65
6×R$ 8,73R$ 52,38
7×R$ 7,59R$ 53,13
8×R$ 6,74R$ 53,92
9×R$ 6,07R$ 54,63
10×R$ 5,54R$ 55,40
11×R$ 5,11R$ 56,21
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra.

* Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos.

IHW20N65R5 - TRENCHSTOP Reverse Conducting IGBT 650 V, 20 A:
--Fabricante: Infineon;
--VCE: 650 V;
--Corrente de Coletor (@Tc = 25 ºC): IC = 40 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): IC = 20 A;

----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------

--Tensão de Saturação( @ Tc = 125 ºC, IC = 40A ): VCEsat = 1,6 V;
--Tempo de Subida: tr = 16 ns;
--Tempo de Descida: tf = 20 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 97 nC
--Energia de comutação em Turn-on(@175ºC, 400V, 40A ): Eon = 620 uJ;
--Energia de comutação em Turn-off(@175ºC, 400V, 40A ): Eoff = 290 uJ;
--Tempo de recuperação reversa: trr= 101 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 2,69 uC;
--Encapsulamento: TO-247
--Resistência Térmica da Chave: Rjc = 1 ºC/W;
--Resistência Térmica dao Diodo Rjc = 4,68 ºC/W;

--Datasheet: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IHW20N65R5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146ae1140b900d8