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IKW75N65EH5XKSA1
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R$ 104,00
18× de R$ 7,56
vezesparcelatotal
1× sem jurosR$ 104,00R$ 104,00
2×R$ 54,35R$ 108,70
3×R$ 36,76R$ 110,28
4×R$ 27,97R$ 111,88
5×R$ 22,70R$ 113,50
6×R$ 19,19R$ 115,14
7×R$ 16,69R$ 116,83
8×R$ 14,81R$ 118,48
9×R$ 13,35R$ 120,15
10×R$ 12,19R$ 121,90
11×R$ 11,23R$ 123,53
12×R$ 10,44R$ 125,28
13×R$ 9,77R$ 127,01
14×R$ 9,20R$ 128,80
15×R$ 8,71R$ 130,65
16×R$ 8,27R$ 132,32
17×R$ 7,89R$ 134,13
18×R$ 7,56R$ 136,08
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra.

* Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos.

IKW 75N65EH5 XKSA1 - High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 650 V, 75 A:
--Fabricante: Infineon;
--VCE: 650 V;
--Corrente de Coletor (@Tc = 25 ºC): ID = 90 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): ID = 75 A;

----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------

--Tensão de Saturação( @ Tc = 125 ºC, IC = 75 A ): VCEsat = 1,85 V;
--Tempo de Subida: tr = 34 ns;
--Tempo de Descida: tf = 38 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 160 nC
--Energia de comutação em Turn-on(@175ºC, 400V, 75A ): Eon = 3 mJ;
--Energia de comutação em Turn-off(@175ºC, 400V, 75A ): Eoff = 1mJ;
--Tempo de recuperação reversa: trr= 123 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 3 uC;
--Encapsulamento: TO-247
--Resistência Térmica da Chave: Rjc = 0,38 ºC/W;
--Resistência Térmica dao Diodo Rjc = 0,45 ºC/W;

--Datasheet: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600