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IKB40N65ES5ATMA1
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R$ 64,40
16× de R$ 5,12
vezesparcelatotal
1× sem jurosR$ 64,40R$ 64,40
2×R$ 33,65R$ 67,30
3×R$ 22,76R$ 68,28
4×R$ 17,32R$ 69,28
5×R$ 14,06R$ 70,30
6×R$ 11,88R$ 71,28
7×R$ 10,33R$ 72,31
8×R$ 9,17R$ 73,36
9×R$ 8,27R$ 74,43
10×R$ 7,55R$ 75,50
11×R$ 6,96R$ 76,56
12×R$ 6,47R$ 77,64
13×R$ 6,05R$ 78,65
14×R$ 5,70R$ 79,80
15×R$ 5,39R$ 80,85
16×R$ 5,12R$ 81,92
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra.

* Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos.

IKB 40N65ES5 ATMA1 - TRENCHSTOP 5 high Speed IGBT With RAPID1 fast Diode 650 V, 40 A:
--Fabricante: Infineon;
--VCE: 650 V;
--Corrente de Coletor (@Tc = 25 ºC): IC = 79 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): IC = 50 A;

----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------

--Tensão de Saturação( @ Tc = 125 ºC, IC = 40A ): VCEsat = 1,65V;
--Tempo de Subida: tr = 16 ns;
--Tempo de Descida: tf = 48 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 95 nC
--Energia de comutação em Turn-on(@175ºC, 400V, 40A ): Eon = 1,2 mJ;
--Energia de comutação em Turn-off(@175ºC, 400V, 40A ): Eoff = 0,69 mJ;
--Tempo de recuperação reversa: trr= 120 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 2,60 uC;
--Encapsulamento: PG-TO263-3 (D²PAK);
--Resistência Térmica da Chave: Rjc = 0,65 ºC/W;
--Resistência Térmica do Diodo: Rjc = 0,75 ºC/W;

--Datasheet: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IKB40N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922451d6945