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STGWA40H65DFB2
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R$ 50,60
12× de R$ 5,08
vezesparcelatotal
1× sem jurosR$ 50,60R$ 50,60
2×R$ 26,44R$ 52,88
3×R$ 17,89R$ 53,67
4×R$ 13,61R$ 54,44
5×R$ 11,05R$ 55,25
6×R$ 9,34R$ 56,04
7×R$ 8,12R$ 56,84
8×R$ 7,21R$ 57,68
9×R$ 6,50R$ 58,50
10×R$ 5,93R$ 59,30
11×R$ 5,47R$ 60,17
12×R$ 5,08R$ 60,96
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra.

* Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos.

(indisponível)
Avise-me quando chegar:
STGWA 40H65 DFB2 - High Speed Trench gate field-stop IGBT, HB2 series 650, V, 40 A:
--Fabricante: ST;
--VCE: 650 V;
--Corrente de Coletor (@Tc = 25 ºC): IC = 72 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): IC = 45 A;

----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------

--Tensão de Saturação( @ Tc = 125 ºC, IC = 60A ): VCEsat = 1,55 V;
--Tempo de Subida: tr = 10,2 ns;
--Tempo de Descida: tf = 40 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 153 nC
--Energia de comutação em Turn-on(@175ºC, 400V, 40A ): Eon = 1460 uJ;
--Energia de comutação em Turn-off(@175ºC, 400V, 40A ): Eoff = 780 uJ;
--Tempo de recuperação reversa: trr= 75 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,730 uC;
--Encapsulamento: TO-247 long leads
--Resistência Térmica da Chave: Rjc = 0,65ºC/W;
--Resistência Térmica dao Diodo Rjc = 1,14 ºC/W;

--Datasheet: https://www.st.com/resource/en/datasheet/stgwa40h65dfb2.pdf