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IRFB 3306 - MOSFET N-Channel HEXFET 60 V, 210 A:
--Fabricante: Infineon/IR;
--VDS: 60 V;
--Corrente de Dreno (@Tc = 25 ºC): ID = 160 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): ID = 110 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 25ºC): ID = 120 A (limitado pelo encapsulamento);
----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------
--Resistência do Canal ( @ Tc = 25 ºC): RDSon = 3,3 mOhm
--Tempo de Subida: tr = 76 ns;
--Tempo de Descida: tf = 77 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 85 nC
--Tempo de Recuperação Reversa: trr= 35 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,045 uC;
--Encapsulamento: TO-220-3
--Resistência Térmica: Rjc = 0,65 ºC/W
--Datasheet: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRFS3306-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165
--Fabricante: Infineon/IR;
--VDS: 60 V;
--Corrente de Dreno (@Tc = 25 ºC): ID = 160 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): ID = 110 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 25ºC): ID = 120 A (limitado pelo encapsulamento);
----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------
--Resistência do Canal ( @ Tc = 25 ºC): RDSon = 3,3 mOhm
--Tempo de Subida: tr = 76 ns;
--Tempo de Descida: tf = 77 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 85 nC
--Tempo de Recuperação Reversa: trr= 35 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,045 uC;
--Encapsulamento: TO-220-3
--Resistência Térmica: Rjc = 0,65 ºC/W
--Datasheet: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRFS3306-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165