Carrinho vazio.
STGP30V60DF
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R$ 44,50
10× de R$ 5,21
vezesparcelatotal
1× sem jurosR$ 44,50R$ 44,50
2×R$ 23,25R$ 46,50
3×R$ 15,73R$ 47,19
4×R$ 11,97R$ 47,88
5×R$ 9,71R$ 48,55
6×R$ 8,21R$ 49,26
7×R$ 7,14R$ 49,98
8×R$ 6,34R$ 50,72
9×R$ 5,71R$ 51,39
10×R$ 5,21R$ 52,10
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra.

* Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos.

STGP 30V60 DF - High Speed Trench Gate IGBT 600 V, 30 A:
--Fabricante: ST;
--VCE: 600 V;
--Corrente de Coletor (@Tc = 25 ºC): IC = 60 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): IC = 30 A;

----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------

--Tensão de Saturação( @ Tc = 125 ºC, IC = 30A ): VCEsat = 1,7 V;
--Tempo de Subida: tr = 16 ns;
--Tempo de Descida: tf = 19 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 163 nC
--Energia de comutação em Turn-on(@175ºC, 400V, 30A ): Eon = 790 uJ;
--Energia de comutação em Turn-off(@175ºC, 400V, 30A ): Eoff = 378 uJ;
--Tempo de recuperação reversa: trr= 104ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 1,352 uC;
--Encapsulamento: TO-220
--Resistência Térmica da Chave: Rjc = 0,58 ºC/W;
--Resistência Térmica do Diodo: Rjc = 2,08 ºC/W;

--Datasheet: https://www.st.com/resource/en/datasheet/stgb30v60df.pdf