Carrinho vazio.
STGWT40V60DF
×
STGWT40V60DF
STGWT40V60DF
R$ 72,40
18× de R$ 5,26
vezesparcelatotal
sem jurosR$ 72,40R$ 72,40
R$ 37,83R$ 75,66
R$ 25,59R$ 76,77
R$ 19,47R$ 77,88
R$ 15,80R$ 79,00
R$ 13,36R$ 80,16
R$ 11,62R$ 81,34
R$ 10,31R$ 82,48
R$ 9,29R$ 83,61
10×R$ 8,48R$ 84,80
11×R$ 7,82R$ 86,02
12×R$ 7,27R$ 87,24
13×R$ 6,80R$ 88,40
14×R$ 6,40R$ 89,60
15×R$ 6,06R$ 90,90
16×R$ 5,76R$ 92,16
17×R$ 5,49R$ 93,33
18×R$ 5,26R$ 94,68
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra.

* Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos.

STGWT 40V60 DF - High Speed Trench Gate IGBT 600 V, 40 A:
--Fabricante: ST;
--VCE: 600 V;
--Corrente de Coletor (@Tc = 25 ºC): IC = 80 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): IC = 40 A;

----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------

--Tensão de Saturação( @ Tc = 125 ºC, IC = 40A ): VCEsat = 2,3 V;
--Tempo de Subida: tr = 21 ns;
--Tempo de Descida: tf = 21 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 226 nC
--Energia de comutação em Turn-on(@175ºC, 400V, 40A ): Eon = 1330 uJ;
--Energia de comutação em Turn-off(@175ºC, 400V, 40A ): Eoff = 560 uJ;
--Tempo de recuperação reversa: trr= 109 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 2,4 uC;
--Encapsulamento: TO-3P
--Resistência Térmica da Chave: Rjc = 0,53 ºC/W;
--Resistência Térmica dao Diodo Rjc = 1,14 ºC/W;

--Datasheet: https://www.st.com/resource/en/datasheet/stgfw40v60df.pdf