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STGWA50H65DFB2
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R$ 66,40
17× de R$ 5,04
vezesparcelatotal
1× sem jurosR$ 66,40R$ 66,40
2×R$ 34,70R$ 69,40
3×R$ 23,47R$ 70,41
4×R$ 17,86R$ 71,44
5×R$ 14,50R$ 72,50
6×R$ 12,25R$ 73,50
7×R$ 10,65R$ 74,55
8×R$ 9,46R$ 75,68
9×R$ 8,52R$ 76,68
10×R$ 7,78R$ 77,80
11×R$ 7,17R$ 78,87
12×R$ 6,67R$ 80,04
13×R$ 6,24R$ 81,12
14×R$ 5,87R$ 82,18
15×R$ 5,56R$ 83,40
16×R$ 5,28R$ 84,48
17×R$ 5,04R$ 85,68
Você poderá escolher o número de parcelas ao concluir a compra.

* Isto é uma simulação, verifique o valor final das parcelas no intermediador de pagamentos.

STGWA 50H65 DFB2 - High Speed Trench gate field-stop IGBT, HB2 series 650, V, 50 A:
--Fabricante: ST;
--VCE: 650 V;
--Corrente de Coletor (@Tc = 25 ºC): IC = 86 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): IC = 53 A;

----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------

--Tensão de Saturação( @ Tc = 125 ºC, IC = 50A ): VCEsat = 1,65 V;
--Tempo de Subida: tr = 20 ns;
--Tempo de Descida: tf = 40 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 151 nC
--Energia de comutação em Turn-on(@175ºC, 400V, 50A ): Eon = 1800 uJ;
--Energia de comutação em Turn-off(@175ºC, 400V, 50A ): Eoff = 1900 uJ;
--Tempo de recuperação reversa: trr= 92 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,673 uC;
--Encapsulamento: TO-247 long leads
--Resistência Térmica da Chave: Rjc = 0,55ºC/W;
--Resistência Térmica dao Diodo Rjc = 1,14 ºC/W;

--Datasheet: https://www.st.com/resource/en/datasheet/stgwa50h65dfb2.pdf