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SQJB70EP - Dual N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET, 11,3 A:
--Fabricante: Vishay;
--VDS: 100 V;
--Corrente de Dreno (@Tc = 25 ºC): ID = 11,3 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): ID = 6,5 A;
----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------
--Resistência do Canal ( @ Tc = 25 ºC): RDSon = 95 mOhm
--Tempo de Subida: tr = 5 ns;
--Tempo de Descida: tf = 5 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 4 nC
--Tempo de Recuperação Reversa: trr= 29 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,025 uC;
--Encapsulamento: PowerPAK-SO-8L
--Resistência Térmica: Rjc = 5,5 ºC/W
--Datasheet: https://www.vishay.com/docs/75213/sqjb70ep.pdf
--Fabricante: Vishay;
--VDS: 100 V;
--Corrente de Dreno (@Tc = 25 ºC): ID = 11,3 A;
--Corrente de Dreno (@Tc = 100 ºC): ID = 6,5 A;
----------Parâmetros Considerando valores típicos ----------------------------
--Resistência do Canal ( @ Tc = 25 ºC): RDSon = 95 mOhm
--Tempo de Subida: tr = 5 ns;
--Tempo de Descida: tf = 5 ns;
--Carga de Gate Total: Qg(tot) = 4 nC
--Tempo de Recuperação Reversa: trr= 29 ns;
--Carga de Recuperação Reversa: Qrr= 0,025 uC;
--Encapsulamento: PowerPAK-SO-8L
--Resistência Térmica: Rjc = 5,5 ºC/W
--Datasheet: https://www.vishay.com/docs/75213/sqjb70ep.pdf